RV2C010UNT2L
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RV2C010UNT2L |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.41 |
10+ | $0.307 |
100+ | $0.1915 |
500+ | $0.131 |
1000+ | $0.1008 |
2000+ | $0.0907 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | VML1006 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 500mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 400mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-101, SOT-883 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
Grundproduktnummer | RV2C010 |
RV2C010UNT2L Einzelheiten PDF [English] | RV2C010UNT2L PDF - EN.pdf |
RV2C010UN ROHM
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 48V
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
ROHM DFN1006
ROHM SOD923
ROHM SMD
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 110V
RV2C001ZP ROHM
RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V
RV2C002UN ROHM
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 24V
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 18V
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RV2C010UNT2LRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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